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▲대한민국 엔지니어상을 받고 가족과 함께 기념사진을 찍고 있는 손윤익 팀장.(사진=SK하이닉스) |
‘대한민국 엔지니어상’은 과학기술정보통신부와 한국산업기술진흥협회가 공동으로 수여하는 권위 있는 상으로, 산업 현장에서 탁월한 연구개발 성과를 이룬 엔지니어를 발굴·포상함으로써 우리나라 기술 경쟁력 강화에 기여하고 있는 주역들을 조명한다.
IT 엔지니어 부문 수상자로 선정된 손 팀장은 SK하이닉스의 차세대 인공지능(AI) 반도체 기술 개발을 선도한 주역이다. 그는 AI 시대를 이끄는 핵심 반도체인 HBM(고대역폭 메모리)과 모바일용 저전력 D램(LPDDR) 개발을 이끌며 기술적 한계를 지속적으로 돌파해 온 공로를 인정받았다.
입사 19년 차인 손 팀장은 소자 엔지니어로서 다양한 D램 제품의 Peri(주변회로) 트랜지스터 개발에 매진해왔다. 특히 고성능, 저전력, 고신뢰성을 요구하는 메모리 기술 환경 속에서 고객이 체감할 수 있는 수준의 성능 향상을 실현하며 기술 리더십을 발휘해왔다.
대표적인 성과로는 LPDDR5 개발 과정에서 D램에 고유전율 금속 게이트(HKMG: High-K Metal Gate) 공정을 성공적으로 도입한 점이 꼽힌다. 이 공정은 기존 기술 대비 전력 효율과 성능을 동시에 개선할 수 있는 혁신 기술로, SK하이닉스 메모리 제품의 경쟁력을 한층 높이는 데 크게 기여했다.
SK하이닉스 관계자는 “손윤익 팀장의 수상은 SK하이닉스의 기술 혁신 노력을 대외적으로 인정받은 결과”라며, “앞으로도 차세대 반도체 기술 개발을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.
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