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| ▲제52회 상공의 날 대통령 표창을 수상한 SK하이닉스 장태수 부사장.(사진=SK하이닉스) |
‘상공의 날’은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고 기업 경쟁력을 강화하기 위해 제정된 기념일이다. 매년 상공업 발전에 기여한 기업인, 근로자, 단체 등을 대상으로 시상식이 열린다.
장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로를 인정받아 이번 표창을 받았다.
20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 장 부사장은 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 기여해왔다. 특히 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 ‘말 안장(Saddle) 모양’의 FinFET 구조인 ‘Saddle-Fin’을 개발, 이를 D램 셀(Cell) 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 결정적인 역할을 했다. 이 기술은 이후 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다.
‘1c D램 개발 TF’에서 소자 총괄 리더를 맡은 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램 개발을 이끌며, 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술을 확보했다. 이는 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장에 필수적인 기술로 평가된다.
이번 성과에 대해 장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했다는 점에서 의미가 크다”고 밝히면서 이번 기술이 HBM(고대역폭 메모리) 성능 향상에도 기여할 것으로 전망했다.
그는 “D램 셀 크기를 줄이면 동일 규격의 실리콘 내에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있다”며 “규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서도 용량을 높일 수 있으며, 미세화로 인해 생긴 여유 공간을 활용해 다양한 설계를 시도하고 기능을 추가할 수도 있다”고 설명했다. 또한, “칩 크기가 작아지고 전력 소모가 줄어들면서 HBM의 열 관리에도 긍정적인 영향을 미칠 것”이라며 “이를 기반으로 한 HBM이 AI 산업 발전을 가속화할 것으로 기대한다”고 덧붙였다.
장 부사장은 “앞으로 마주할 많은 어려움 속에서도 자신감을 잃지 않고 힘을 합친다면 반드시 값진 성과로 이어질 것”이라며, “원팀(One Team)과 실패 공유 문화를 지속적으로 실천하는 것이 중요하다”고 강조했다. 또한, 향후 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부를 밝혔다.
이번 수상은 SK하이닉스가 메모리 반도체 기술의 선두 주자로 자리매김하고 있음을 다시 한번 입증하는 계기가 됐다. 향후 SK하이닉스가 어떤 혁신을 이어갈지 귀추가 주목된다.
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